800V平台SiC沟槽栅工艺切换指南:功率密度提升与温控方案
2026年全球新能源汽车新增装机中,800V高压平台渗透率已接近50%,碳化硅(SiC)MOSFET全面进入沟槽栅(Trench)时代。Omdia数据显示,沟槽栅结构凭借更低的导通电阻和几乎消除的JFET效应,使相同芯片...
PG电子立足于上海张江高科技园区的核心地带,自成立之初就定位于新能源汽车最核心的动力心脏——功率半导体领域。我们不搞那些眼花缭乱的副业,多年来只盯着碳化硅和IGBT这两项硬科技。在汽车电动化的浪潮中,功率半导体决定了电池电能转换成动能的效率,说白了,我们的任务就是让每一度电都能跑出更远的距离。
现在的PG电子已经不是几年前那个实验室规模的小团队了。我们目前拥有超过三百名的专业人才,其中大部分研发人员在半导体封装和芯片设计领域摸爬滚打了很多年。我们不仅在北京、深圳设立了分支机构,还自建了高度自动化的封装测试基地。这种重资产的布局虽然辛苦,但让我们掌握了产品质量的主动权,不用担心代工厂的产能波动影响客户交付。
提到技术,PG电子最拿得出手的是我们的银烧结封装工艺和高性能散热底板设计。传统的锡膏焊接在面对新能源汽车频繁的加减速工况时,容易出现热疲劳导致的开裂。我们采用了银烧结技术,把芯片与基板的连接强度提升了数倍,热阻却降低了将近三成。这意味着PG电子车规级功率半导体即使在恶劣的工况下,也能保持极低的故障率。很多工程师在测过我们的样品后发现,PG电子的模块在极限温升测试中的表现相当硬核。
在业务布局上,PG电子采取了稳扎稳打的策略。我们最开始是从辅助逆变器用的IGBT单管切入市场的,随着技术积累,我们迅速推出了针对主驱系统的大功率SiC MOSFET模块。这种产品目前是全球车企都在抢占的技术高地。PG电子碳化硅量产厂家这一身份,让我们在供应链中占据了有利位置。我们不只是卖芯片,更多时候是跟车厂的工程师坐在一起,讨论怎么优化电控箱的排布,怎么把散热做得更极致。
新能源汽车行业现在的节奏非常快,从立项到量产的周期被压得很短。PG电子深知这一点,所以我们建立了一套快速原型响应机制。只要客户给出一个功率需求和空间包络,我们的仿真团队能在几天内就输出初步的热力学模拟结果。在过去的几年里,我们服务了超过八十家整车及零部件厂商。有的项目甚至是在非常极端的条件下完成的,比如在零下四十度的黑河测试场,我们的技术支持团队陪着客户一起调参数,确保模块在冷启动时不出任何偏差。
说到发展理念,PG电子其实挺传统的,就是信奉实干。我们内部不鼓励讲那些高大上的名词,大家更关心的是芯片的短路耐受时间能不能多出几个微秒,或者模块的封装体积能不能再缩小几个毫米。这种务实的氛围让我们的技术能够真正落地。我们认为,半导体行业没有捷径可走,每一项性能的提升都是在实验室里成千上万次测试磨出来的。这种对技术的敬畏,让我们在竞争激烈的市场中站稳了脚跟。
展望未来,PG电子将继续加大在第三代半导体领域的投入。2026年对我们来说是一个新的起点,随着新产能的释放,我们将不仅局限于乘用车市场,还会向重型商用车、氢能源汽车等更多领域延伸。虽然前路还会有很多技术挑战,但PG电子已经做好了准备。我们会一如既往地扎根在这一行,把每一颗功率半导体做到极致,为绿色出行贡献一份实在的力量。
如果您正在寻找稳定、可靠的功率半导体合作伙伴,PG电子的大门随时敞开。我们不只是提供产品,更希望成为您研发链路上的专业伙伴,一起解决那些棘手的技术难题,让新能源汽车的动力表现更上一个台阶。
拥有全自动模块封装线,采用先进的银烧结技术,显著提升了半导体模块的散热效率与使用寿命。
产品通过车规级AEC-Q101认证,建立从晶圆检测到成品出厂的全过程追溯体系,确保成品率。
具备完善的仿真分析能力,可根据主机厂空间布局和性能要求,在短时间内完成定制化方案设计。
除了标准化产品,PG电子还提供从拓扑设计到热管理优化的一站式定制服务。我们直接对接整车厂的初期研发阶段,根据具体的功率密度要求、散热环境及封装空间,输出最优化的半导体组件。这适合有特殊差异化竞争需求的整车品牌,协助其打造独特的动力表现。
配合功率器件,PG电子研发了专用栅极驱动芯片。该系列芯片具备完善的短路保护、过温监测及过压锁定功能。它解决了驱动信号干扰和死区时间控制的难题,适合所有需要精确控制功率半导体开关速度的应用场景,能够有效防止系统直通损坏。
PG电子提供涵盖650V至1200V的全系列IGBT单管。通过优化沟槽栅结构,我们在导通压降与关断损耗之间取得了平衡。这类产品主要面向新能源汽车的辅助系统,如车载空调压缩机、PTC加热器及OBC车载充电机,能够满足各种复杂工况下的高可靠性要求。
PG电子研发的高性能SiC MOSFET模块,专为800V高压平台设计。该产品解决了传统硅基功率器件在高温高压下损耗大的痛点,大幅降低了开关损耗。适用于高端纯电车型的逆变器,帮助客户实现更轻量化的电驱系统设计,是目前追求极致续航车型的理想选择。
2026年全球新能源汽车新增装机中,800V高压平台渗透率已接近50%,碳化硅(SiC)MOSFET全面进入沟槽栅(Trench)时代。Omdia数据显示,沟槽栅结构凭借更低的导通电阻和几乎消除的JFET效应,使相同芯片...
全球新能源汽车高压快充演进至关键节点,第三方机构数据显示,国内800V高压平台车型产销占比已突破50%,这导致碳化硅(SiC)功率模块的需求量呈几何级数增长。但在实际应用场景中,SiC芯片由于单位面积发热量远超传统硅基I...
2026年全球新能源汽车渗透率已突破50%大关,单车功率半导体价值量较五年前翻了三倍。800V高压快充平台从20万级车型向下兼容,直接导致SiC MOSFET对传统IGBT的替代率在主逆变器领域超过六成。Yole Gro...
碳化硅(SiC)功率模块在2026年的市场定价表现出剧烈的离散性。根据行业机构数据显示,针对同等级别800V平台主逆变器的1200V SiC功率模块,头部国际IDM厂商与本土新兴供应商的报价差额已达到15%至22%。这一...
2026年第一季度数据显示,国内新能源汽车保有量已突破4500万辆,早期搭载碳化硅(SiC)功率模块的800V高压车型正式进入出保高峰。由于SiC功率模块单价常年维持在数千元量级,且与主驱逆变器高度集成,传统“只换不修”...
2026年上半年,国内新能源汽车渗透率稳定在55%左右,800V高压快充车型在纯电动车市场的占比迅速攀升至35%以上。这种市场结构变化直接导致主机厂对SiC(碳化硅)功率模块的验收逻辑发生重构。过去单纯追求峰值功率输出的...
年产模块能力
核心发明专利
定点车企客户
研发团队规模
"PG电子的碳化硅模块在高温环境下的稳定性表现超出了我们的预期,帮我们解决了电驱系统在高频运行时的损耗问题。"
"和PG电子合作快三年了,他们的交货周期非常稳,即便在行业波动时期也能保证我们的生产线不间断,服务很到位。"
"我们需要针对特殊平台做非标定制,PG电子的技术团队跟进非常快,从方案沟通到出样片只用了不到三个月时间。"
"送样测试的数据反馈显示,PG电子的产品在短路耐受能力和热阻参数上达到了行业一流水准,兼容性非常强。"
首席技术官
生产总监
研发副总裁
质量控制主管